Vijesti

Dummy Wafers Riječ "Dummy" znači "lažni" ili "simulirani .}" lutke, poznate i kao lažni rezi, obično nemaju uzorak ili samo nekoliko slojeva s uzor...

Proces EPI (epitaxy) ključna je tehnologija rasta materijala u proizvodnji poluvodiča ., on opije sloj visoko-kvalitetnog materijala s jednokristal...

Supstrat je fizička osnova uređaja i određuje izvedivost i troškove epitaksijskog rasta . Epitaksijalni sloj je funkcionalna jezgra, a električni i...

Od ranih ravninskih CMOS procesa do naprednih finfeta, supstrati P-tipa i dalje se široko koriste u integriranom dizajnu kruga. Zašto proizvodnja i...

· Supstrat je fizička osnova uređaja i određuje izvedivost i troškove epitaksijalnog rasta.
· Epitaksijski sloj je funkcionalna jezgra, a elektr...

U znanosti o proizvodnji i materijalima poluvodiča, kristalna orijentacija silikonskih rezina (poput<100>, <110>, <111>) ima odlučujući utjecaj na ...

Svrha prorjeđivanja vafera

Zašto doping? Koje su metode dopinga? Kakva je uloga dopinga?

Koje su kristalne orijentacije silicijskih rezina?
Koliko rubova pozicioniranja ima?
Kako je postavljen rub za pozicioniranje?
Koja je raz...

Procjenjivanje vafera ključni je korak u proizvodnji poluvodiča, a njegova je glavna svrha ispuniti zahtjeve performansi čipova, ambalaže, rasipanj...

Silicij (SI) je osnovni materijal u industriji poluvodiča, a njegova tehnologija obrade ključna je za razvoj mikroelektronike i mikroelektromehanič...

Mehanizam rasta rasta filma silicija nitrida LPCVD Jednadžba rasta: jednadžba za rast PECVD -a je: Iz dvije gore navedene slike, možemo vidjeti da:...